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  • 安博体育app下载官网-三星计划在下一代DRAM工艺引入VCT技术

    据韩媒报道,三星电子已明确将在第七代10nm级DRAM内存工艺(1d nm)后导入垂直通道晶体管(VCT)技术,相关产品预计2至3年内问世。此前,三星在1d nm后的研发方向上曾考虑1e nm与VCT DRAM两种方案,最终选定更具革新潜力的VCT技术,并将1e nm团队整合至1d nm项目中以加速

    06/05/2025
  • 安博体育app下载官网-中国信通院:人工智能软硬件推进组已汇聚产业链主体70余家

    据媒体报道,中国信通院人工智能软硬件推进组已经汇聚产业链上下游领军主体70余家,涉及芯片、框架/算法、网络、服务器、应用等环节的企业及高校、新型研究机构,包括寒武纪、中科海光、昆仑芯、百度、阿里巴巴、商汤、中国移动、中国联通、中兴通讯、浪潮、中科曙光等,并持续开放合作。据悉,信通院于去年3月成立人工

    06/05/2025
  • 安博体育app下载官网-意法半导体收购端侧AI公司Deeplite

    近日,Deeplite CEO Nick Romano在社交媒体上透露,意法半导体(ST)已完成收购Deeplite,但未提及更多交易明细。据了解,Deeplite是多伦多的一家人工智能初创公司,此前已融资647万美元。此次收购的焦点在于Deeplite的独特技术。Deeplite的软件使得在手机和

    06/05/2025
  • 安博体育app下载官网-西门子首届沉浸式设计挑战赛圆满收官,吸引全球学子参与角逐

    西门子数字化工业软件与索尼联和举办的首届沉浸式设计挑战赛 (Immersive Design Challenge)日前圆满落下帷幕。本次赛事共吸引了来自全球38个国家超过230所高校的900名参赛者,在赛中激发创意,培养数字化思维与技能,探索如何将可持续设计原则与沉浸式工程技术相融合,构想未来工程图

    06/04/2025
  • 安博体育app下载官网-总投资8.5亿元,光电子集成高端硅基晶圆制造中心项目封顶

    据“巴南发布”公众号消息,4月27日,位于重庆数智产业园的光电子集成高端硅基晶圆制造中心项目正式封顶。据悉,光电子集成高端硅基晶圆制造中心项目由光域科技公司投资建设,总投资8.5亿元,设计月产能为3500片高端硅基晶圆,是一座建筑面积为2.94万平方米的智能化工厂。该项目预计2025年底投产,将极大

    06/04/2025
  • 安博体育app下载官网-长控集团新增16家投资方,融资近百亿

    据海世高半导体官微消息,日前,海世高半导体科技(苏州)有限公司在苏州高新区隆重举行“半导体测试研究所落成典礼暨玻璃基板投产仪式”。活动现场,海世高半导体与多家行业领军企业签署战略合作协议。据悉,海世高半导体自成立以来,以“TGV(玻璃通孔)金属沉积技术国产化”为使命,历经多年技术攻关,成功建成国内首

    06/04/2025
  • 安博体育app下载官网-海世高半导体苏州测试研究所启用,首片半导体玻璃基板投产

    据海世高半导体官微消息,日前,海世高半导体科技(苏州)有限公司在苏州高新区隆重举行“半导体测试研究所落成典礼暨玻璃基板投产仪式”。活动现场,海世高半导体与多家行业领军企业签署战略合作协议。据悉,海世高半导体自成立以来,以“TGV(玻璃通孔)金属沉积技术国产化”为使命,历经多年技术攻关,成功建成国内首

    06/04/2025
  • 安博体育app下载官网-意法半导体收购端侧AI公司Deeplite

    近日,Deeplite CEO Nick Romano在社交媒体上透露,意法半导体(ST)已完成收购Deeplite,但未提及更多交易明细。据了解,Deeplite是多伦多的一家人工智能初创公司,此前已融资647万美元。此次收购的焦点在于Deeplite的独特技术。Deeplite的软件使得在手机和

    06/04/2025
  • 安博体育app下载官网-寒武纪拟定增募资不超49.8亿元,用于面向大模型的芯片平台项目等

    寒武纪日前发布公告称,公司拟向特定对象发行A股股票募资不超过49.8亿元,用于面向大模型的芯片平台项目、面向大模型的软件平台项目、补充流动资金。面向大模型的芯片平台项目,预计实施周期为3年,计划总投资29亿元,面向大模型技术演进对智能芯片的创新需求,拟开展面向大模型的智能处理器技术创新突破;拟研发覆

    06/03/2025
  • 安博体育app下载官网-中科院微电子所在碳硅三维异质集成器件上取得进展

    据中国科学院微电子所官网消息,随着集成电路密度不断提高,晶体管的工艺节点不断微缩,已逼近物理极限。三维互补式场效应晶体管(3D CMOS)技术成为破局的潜在路径。传统硅基3D CMOS集成技术热预算较高,导致工艺复杂成本提高,并可能引发性能退化等问题,限制了其商业应用。针对上述问题,中国科学院微电子

    06/03/2025