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  • 安博体育app下载官网-英特尔1.8nm成功点亮!

    日前,英特尔(Intel)透露了“4年5节点”计划最终的Intel 18A制程技术的最新进展。根据资料显示,该公司已经准备好了制程设计套件(PDK)1.0版本,客户可以借助PDK开始采用该制造技术进行芯片开发。此外,使用该制程节点的两款英特尔重要产品也已经完成设计,这对于当前困难重重的英特尔来说,是

    12/29/2024
  • 安博体育app下载官网-IDC:随着人工智能需求飙升,内存制造商将在2024年第一季度推动半导体市场增长

    来源:IDC集成设备制造中存储器需求猛增,半导体行业大幅增长IDC的最新研究《全球半导体集成设备制造市场:前10名供应商排名和洞察,1Q24》揭示了2024年第一季度半导体行业的重要趋势。报告强调,受器件市场稳定性和数据中心对人工智能训练和推理的需求推动,内存应用和库存水平正在复苏。这一现象是在新冠

    12/29/2024
  • 安博体育app下载官网-三星量产全球最薄LPDDR5X内存,4层12nm芯片堆叠,薄至0.65mm

    来源:科技012024年8月6日,三星电子宣布开始量产用于片上人工智能的业界最薄LPDDR5X DRAM。三星宣称这是世界上最薄的LPDDR5XDRAM封装产品,容量分别为12GB和16GB。这些新产品的厚度约为0.65毫米,比典型的LPDDR5X封装薄0.06毫米。三星采用了新的封装技术,包括优化

    12/29/2024
  • 安博体育app下载官网-群创光电2026年量产玻璃钻孔(TGV)制程

    来源:台媒群创光电(Innolux Corporation)总经理杨柱祥8 月 5 日表示,公司正积极布局和推进半导体扇出型面板级封装(FOPLP),有望今年年底前量产 Chip First 制程技术,对营收的贡献将于明年第 1 季度显现。群创光电表示未来 1-2 年内有望量产针对中高端产品的重布线

    12/29/2024
  • 安博体育app下载官网-三星 8 层 HBM3E 芯片通过英伟达测试

    来源:Yole Group据三位了解结果的消息人士称,三星电子第五代高带宽内存芯片 HBM3E 的一个版本已通过英伟达的测试,可用于其人工智能处理器。这一结果为全球最大的内存芯片制造商扫清了一个重大障碍,该公司一直在努力追赶当地竞争对手 SK 海力士,以供应能够处理生成性人工智能工作的先进内存芯片。

    12/28/2024
  • 安博体育app下载官网-超预期!晶圆大厂华虹半导体最新财报,全方位满产!第二条12英寸生产线年底前试产

    8月8日,华虹半导体(A股代码688347.SH、港股代码01347.HK)披露了第二季度业绩报告。数据显示,公司二季度实现销售收入4.785亿美元,毛利率为10.5%,均实现了环比增长,销售收入符合指引,毛利率优于此前指引。得益于客户收款增加,公司二季度经营活动所得现金流量净额9690万美元,环比

    12/28/2024
  • 安博体育app下载官网-板级封装跃上台面!

    来源:Manz亚智科技Manz在先进封装领域的板级RDL重分布层应用中,为客户提供全方位的解决方案,并拥有丰富的量产经验,涵盖尺寸从300毫米到700毫米的多种应用。除此之外,我们专业的知识延伸应用于不同的封装形式和基板材料,确保先进封装方案的灵活性和可扩展性。半导体产业正积极推动制造更小、更强大、

    12/28/2024
  • 安博体育app下载官网-等离子发生器推动半导体芯片制造研究

    来源:AIP电子束枪可简化用于研究改进微芯片极紫外光刻方法所需的实验装置。等离子发生器推动半导体芯片制造研究发展在制造更小、更密集的微芯片的竞争中,一些半导体制造商开始转向极紫外 (EUV) 光刻等新兴技术。这种方法使用波长极短的光将图案喷射到硅晶圆上,从而可以制造具有最小工艺节点的芯片。在此过程中

    12/28/2024
  • 安博体育app下载官网-革命性创新!这个成像技术登上Nature!

    文章来源:纳米人研究背景科学、医学和工程领域的进步依赖于成像领域的突破,特别是从集成电路或哺乳动物大脑等功能系统获取多尺度三维信息。实现这一目标通常需要结合基于电子和光子的方法。电子显微镜通过对表面层的连续破坏性成像提供纳米级分辨率,而叠层X射线计算机断层扫描则提供非破坏性成像,最近已在小体积内实现

    12/28/2024
  • 安博体育app下载官网-新思科技创始人Aart de Geus博士获半导体行业最高荣誉罗伯特-诺伊斯奖

    近日,新思科技(Synopsys, Inc.)创始人兼执行主席Aart de Geus博士获得2024年半导体行业最高荣誉罗伯特-诺伊斯奖(Robert N. Noyce Award)。罗伯特-诺伊斯奖每年颁发一次,旨在表彰在半导体行业的技术或公共政策方面做出重大贡献的领导者。该奖项是为了纪念半导体

    12/27/2024